INFINEON
Транзистор SPD15P10PLGBTMA1
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Технология
- SIPMOS™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -100 V
- Drain current
- -15 A
- Рассеиваемая мощность
- 128 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | SPD15P10PLGBTMA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Технология | SIPMOS™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -100 V |
| Drain current | -15 A |
| Рассеиваемая мощность | 128 W |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.2 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.