Антава

INFINEON

Транзистор SPD15P10PLGBTMA1

SPD15P10PLGBTMA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SIPMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-15 A
Рассеиваемая мощность
128 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяSPD15P10PLGBTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSIPMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-15 A
Рассеиваемая мощность128 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя