Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор SPD09P06PLGBTMA1

SPD09P06PLGBTMA1
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
SIPMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60V
Drain current
-9.7A
Power dissipation
42W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSPD09P06PLGBTMA1
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorP-MOSFET
TechnologySIPMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60V
Drain current-9.7A
Power dissipation42W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.25Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -9.7A; 42W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя