INFINEON
Транзистор SPD09P06PLGBTMA1
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Технология
- SIPMOS™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -60 V
- Drain current
- -9.7 A
- Рассеиваемая мощность
- 42 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 226 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%225,94 ₽
Сумма · с НДС 22%225,94 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 225,94 ₽ | |
| от 5 | 192,23 ₽ | |
| от 10 | 169,10 ₽ | |
| от 50 | 115,66 ₽ | |
| от 100 | 104,19 ₽ | |
| от 500 | 98,27 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | SPD09P06PLGBTMA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Технология | SIPMOS™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -60 V |
| Drain current | -9.7 A |
| Рассеиваемая мощность | 42 W |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.25 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -9.7A; 42W; PG-TO252-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.