Антава

INFINEON

Транзистор SPD08P06PGBTMA1

SPD08P06PGBTMA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SIPMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-8.8 A
Power dissipation
42 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSPD08P06PGBTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSIPMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-8.8 A
Power dissipation42 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.8A; 42W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя