Антава

INFINEON

Транзистор SPD04P10PLGBTMA1

SPD04P10PLGBTMA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SIPMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-4.2 A
Power dissipation
38 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSPD04P10PLGBTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSIPMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-4.2 A
Power dissipation38 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.85 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 38W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя