Антава

INFINEON

Транзистор SPB80P06PGATMA1

SPB80P06PGATMA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SIPMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-80 A
Рассеиваемая мощность
340 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 701 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%880,02 ₽

Сумма · с НДС 22%880,02 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1880,02 ₽
от 10631,16 ₽
от 25582,47 ₽
от 50550,01 ₽
от 100519,36 ₽
от 500459,85 ₽
от 1000445,42 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSPB80P06PGATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSIPMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-80 A
Рассеиваемая мощность340 W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance23 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя