Антава

INFINEON

Транзистор SPB20N60S5ATMA1

SPB20N60S5ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
20 A
Рассеиваемая мощность
208 W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSPB20N60S5ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current20 A
Рассеиваемая мощность208 W
КорпусTO263
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.