Антава

INFINEON

Транзистор SPB17N80C3

SPB17N80C3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
17 A
Рассеиваемая мощность
227 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 126 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 074,13 ₽

Сумма · с НДС 22%1 074,13 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 074,13 ₽
от 5950,40 ₽
от 25853,57 ₽
от 100796,18 ₽
от 250740,59 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSPB17N80C3
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current17 A
Рассеиваемая мощность227 W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.29 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3

Документация

Документ производителя