INFINEON

Транзистор SPB11N60C3ATMA1

PG-TO263Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650 V
Drain current: 7 A
Pulsed drain current: 33 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SPB11N60C3ATMA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	CoolMOS™
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	650 V
Drain current	7 A
Pulsed drain current	33 A
Power dissipation	125 W
Корпус	PG-TO263
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.38 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.