Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SP8M8FRATB

SP8M8FRATB
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30/-30V
Drain current
6/-4.5A
Pulsed drain current
18...24A
Power dissipation
2W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSP8M8FRATB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30/-30V
Drain current6/-4.5A
Pulsed drain current18...24A
Power dissipation2W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance47/90mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.2/8.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-4.5A; Idm: 18÷24A; 2W

Документация

Документы пока не предоставлены.