Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SP8M51HZGTB

SP8M51HZGTB
Type of transistor
N/P-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Drain current
3 A
Power dissipation
2 W
Корпус
SOP8
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSP8M51HZGTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Drain current3 A
Power dissipation2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; 100V; 3A; 2W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.