Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SP8M3HZGTB

SP8M3HZGTB
Type of transistor
N/P-MOSFET
Drain-source voltage
30 V
Drain current
5 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Корпус
SOP8
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 335 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%122,40 ₽

Сумма · с НДС 22%14 688,00 ₽

От 120 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 120122,40 ₽
от 300111,53 ₽
от 500109,09 ₽
от 100096,53 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSP8M3HZGTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
Drain-source voltage30 V
Drain current5 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; 30V; 5A; 2W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.