Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SP8M21FRATB

SP8M21FRATB
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
45/-45 V
Drain current
6/-4 A
Pulsed drain current
16...24 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSP8M21FRATB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage45/-45 V
Drain current6/-4 A
Pulsed drain current16...24 A
Power dissipation2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance37/65 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15.4/20nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 45/-45V; 6/-4A; Idm: 16÷24A; 2W

Документация

Документы пока не предоставлены.