Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SP8M10FRATB

SP8M10FRATB
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30/-30 V
Drain current
7/-4.5 A
Pulsed drain current
18...28 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSP8M10FRATB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30/-30 V
Drain current7/-4.5 A
Pulsed drain current18...28 A
Power dissipation2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance37/90 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.4/8.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7/-4.5A; Idm: 18÷28A; 2W

Документация

Документы пока не предоставлены.