Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SP8K80TB1

SP8K80TB1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
0.5A
Pulsed drain current
2A
Power dissipation
2W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSP8K80TB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current0.5A
Pulsed drain current2A
Power dissipation2W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±30V
On-state resistance11.7Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 500mA; Idm: 2A; 2W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.