ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор SP8K41HZGTB
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Drain-source voltage
- 80 V
- Drain current
- 3.4 A
- Рассеиваемая мощность
- 2 W
- Корпус
- SOP8
- Gate-source voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 721 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%156,36 ₽
Сумма · с НДС 22%14 385,12 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 92 | 156,36 ₽ | |
| от 100 | 140,13 ₽ | |
| от 300 | 129,62 ₽ | |
| от 500 | 127,41 ₽ | |
| от 1000 | 113,40 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | SP8K41HZGTB |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Drain-source voltage | 80 V |
| Drain current | 3.4 A |
| Рассеиваемая мощность | 2 W |
| Корпус | SOP8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.13 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 6.6nC |
| Kind of channel | enhancement |
| Application | automotive industry |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; 80V; 3.4A; 2W; SOP8; automotive industry
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.