Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SP8K32HZGTB

SP8K32HZGTB
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
4.5 A
Pulsed drain current
18 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 282 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%443,78 ₽

Сумма · с НДС 22%443,78 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1443,78 ₽
от 10247,06 ₽
от 50207,72 ₽
от 100191,87 ₽
от 500154,95 ₽
от 1000139,29 ₽
от 2500118,59 ₽
от 5000103,11 ₽
от 750094,91 ₽
от 1000094,16 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSP8K32HZGTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current4.5 A
Pulsed drain current18 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance77 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.