ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор SP8K2HZGTB
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Drain-source voltage
- 30 V
- Drain current
- 6 A
- Корпус
- SOP8
- Gate-source voltage
- ±20 V
- Монтаж
- SMD — поверхностный
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 838 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%165,60 ₽
Сумма · с НДС 22%14 572,80 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 88 | 165,60 ₽ | |
| от 100 | 149,10 ₽ | |
| от 300 | 138,22 ₽ | |
| от 500 | 136,53 ₽ | |
| от 1000 | 121,15 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | SP8K2HZGTB |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Drain-source voltage | 30 V |
| Drain current | 6 A |
| Корпус | SOP8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 7.2nC |
| Kind of channel | enhancement |
| Application | automotive industry |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; 30V; 6A; SOP8; automotive industry
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.