Антава

ONSEMI

Транзистор SMMJT350T1G

SMMJT350T1G
Type of transistor
PNP
Polarisation
bipolar
Collector-emitter voltage
300 V
Collector current
0.5 A
Рассеиваемая мощность
2.75 W
Корпус
SOT223-4, TO261-4
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSMMJT350T1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorPNP
Polarisationbipolar
Collector-emitter voltage300 V
Collector current0.5 A
Рассеиваемая мощность2.75 W
КорпусSOT223-4, TO261-4
Pulsed collector current0.75 A
Current gain30...240
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 2.75W; SOT223-4,TO261-4

Документация

Документы пока не предоставлены.