Антава

ONSEMI

Транзистор SMMBFJ309LT1G

SMMBFJ309LT1G
Type of transistor
N-JFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
25 V
Drain current
30 mA
Power dissipation
0.225 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSMMBFJ309LT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-JFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage25 V
Drain current30 mA
Power dissipation0.225 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage-25 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Gate current10 mA
Исходное описание поставщика

Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA

Документация

Документы пока не предоставлены.