Антава

ONSEMI

Транзистор SMMBFJ175LT1G

SMMBFJ175LT1G
Type of transistor
P-JFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-25 V
Drain current
-60 mA
Power dissipation
0.225 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSMMBFJ175LT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-JFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-25 V
Drain current-60 mA
Power dissipation0.225 W
КорпусSOT23
On-state resistance125 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -60mA; 225mW; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.