Антава

MICROCHIP

Диод SMLJ10CE3/TR13

SMLJ10CE3/TR13
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3kW
Max. off-state voltage
10V
Breakdown voltage
11.1V
Max. forward impulse current
159.6A
Semiconductor structure
bidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSMLJ10CE3/TR13
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3kW
Max. off-state voltage10V
Breakdown voltage11.1V
Max. forward impulse current159.6A
Semiconductor structurebidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current5µA
Number of channels1
Kind of packagereel, tape
Рабочая температура-65...150°C
СерияSMLJ
Manufacturer standard package3000pcs.
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 11.1V; 159.6A; bidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.