Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Диод SMF30VTR

Фото уточняется
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.2 kW
Max. off-state voltage
30 V
Breakdown voltage
33.3 V
Max. forward impulse current
4.1 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSMF30VTR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.2 kW
Max. off-state voltage30 V
Breakdown voltage33.3 V
Max. forward impulse current4.1 A
Semiconductor structureunidirectional
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current0.1 µA
Number of channels1
Ёмкость0.15 nF
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 0.2kW; 33.3V; 4.1A; unidirectional; Ch: 1; 150pF

Документация

Документы пока не предоставлены.