Антава

VISHAY

Диод SMCJ33A-E3/57T

SMCJ33A-E3/57T
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
1.5 kW
Max. off-state voltage
33 V
Breakdown voltage
36.7...40.6 V
Max. forward impulse current
28.1 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSMCJ33A-E3/57T
ПроизводительVISHAY
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation1.5 kW
Max. off-state voltage33 V
Breakdown voltage36.7...40.6 V
Max. forward impulse current28.1 A
Semiconductor structureunidirectional
Допуск±5%
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current1 µA
Features of semiconductor devicesglass passivated
ТехнологияTransZorb®
Kind of package7 inch reel, tape
СерияSMCJ
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 1.5kW; 36.7÷40.6V; 28.1A; unidirectional; ±5%; SMCJ

Документация

Документ производителя