Антава

VISHAY

Диод SMCJ10AHE3_A/H

SMCJ10AHE3_A/H
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
1.5 kW
Max. off-state voltage
10 V
Breakdown voltage
11.1...12.3 V
Max. forward impulse current
88.2 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSMCJ10AHE3_A/H
ПроизводительVISHAY
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation1.5 kW
Max. off-state voltage10 V
Breakdown voltage11.1...12.3 V
Max. forward impulse current88.2 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current5 µA
Features of semiconductor devicesglass passivated
ТехнологияTransZorb®
Applicationautomotive industry
Kind of package7 inch reel, tape
СерияSMCJ
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 1.5kW; 11.1÷12.3V; 88.2A; unidirectional; DO214AB,SMC

Документация

Документы пока не предоставлены.