Антава

VISHAY

Диод SMCJ10A-E3/9AT

SMCJ10A-E3/9AT
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
1.5kW
Max. off-state voltage
10V
Breakdown voltage
11.1...12.3V
Max. forward impulse current
88.2A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSMCJ10A-E3/9AT
ПроизводительVISHAY
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation1.5kW
Max. off-state voltage10V
Breakdown voltage11.1...12.3V
Max. forward impulse current88.2A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current5µA
Features of semiconductor devicesglass passivated
TechnologyTransZorb®
Kind of package13 inch reel, tape
СерияSMCJ
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 1.5kW; 11.1÷12.3V; 88.2A; unidirectional; DO214AB,SMC

Документация

Документы пока не предоставлены.