Антава

VISHAY

Диод SMBJ9.0D-M3/I

SMBJ9.0D-M3/I
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6 kW
Max. off-state voltage
9 V
Breakdown voltage
10.2 V
Max. forward impulse current
39.7 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSMBJ9.0D-M3/I
ПроизводительVISHAY
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6 kW
Max. off-state voltage9 V
Breakdown voltage10.2 V
Max. forward impulse current39.7 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current5 µA
Features of semiconductor devicesglass passivated
ТехнологияTransZorb®
Kind of package13 inch reel, tape
СерияSMBJ
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 600W; 10.2V; 39.7A; unidirectional; DO214AA,SMB; SMBJ

Документация

Документы пока не предоставлены.