Антава

MICROCHIP

Диод SMBJ58AE3/TR13

SMBJ58AE3/TR13
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6 kW
Max. off-state voltage
58 V
Breakdown voltage
64.4 V
Max. forward impulse current
6.4 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSMBJ58AE3/TR13
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6 kW
Max. off-state voltage58 V
Breakdown voltage64.4 V
Max. forward impulse current6.4 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Kind of packagereel, tape
Рабочая температура-65...150 °C
Manufacturer standard package3000pcs.
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 0.6kW; 64.4V; 6.4A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.