Антава

VISHAY

Диод SMBJ3V3HE3_B/H

SMBJ3V3HE3_B/H
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6 kW
Max. off-state voltage
3.3 V
Breakdown voltage
4.1 V
Max. forward impulse current
50 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSMBJ3V3HE3_B/H
ПроизводительVISHAY
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6 kW
Max. off-state voltage3.3 V
Breakdown voltage4.1 V
Max. forward impulse current50 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current0.2 mA
Features of semiconductor devicesglass passivated
ТехнологияTransZorb®
Applicationautomotive industry
Kind of package7 inch reel, tape
СерияSMBJ
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 600W; 4.1V; 50A; unidirectional; DO214AA,SMB; SMBJ

Документация

Документы пока не предоставлены.