Антава

VISHAY

Диод SMBJ33CAHE3_B/I

SMBJ33CAHE3_B/I
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6 kW
Max. off-state voltage
33 V
Breakdown voltage
36.7...40.6 V
Max. forward impulse current
11.3 A
Semiconductor structure
bidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSMBJ33CAHE3_B/I
ПроизводительVISHAY
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6 kW
Max. off-state voltage33 V
Breakdown voltage36.7...40.6 V
Max. forward impulse current11.3 A
Semiconductor structurebidirectional
Допуск±5%
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current1 µA
Features of semiconductor devicesglass passivated
Applicationautomotive industry
ТехнологияTransZorb®
Kind of package13 inch reel, tape
СерияSMBJ
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 600W; 36.7÷40.6V; 11.3A; bidirectional; ±5%; TransZorb®

Документация

Документы пока не предоставлены.