DIODES INCORPORATED
Диод SMBJ33A-13-F
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 0.6 kW
- Max. off-state voltage
- 33 V
- Breakdown voltage
- 36.7...42.2 V
- Max. forward impulse current
- 11.3 A
- Semiconductor structure
- unidirectional
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 920 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%64,87 ₽
Сумма · с НДС 22%64,87 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 64,87 ₽ | |
| от 10 | 41,44 ₽ | |
| от 25 | 34,96 ₽ | |
| от 50 | 31,35 ₽ | |
| от 100 | 29,19 ₽ | |
| от 125 | 28,83 ₽ | |
| от 400 | 27,03 ₽ | |
| от 500 | 26,67 ₽ | |
| от 1000 | 24,87 ₽ | |
| от 3000 | 23,06 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | SMBJ33A-13-F |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 0.6 kW |
| Max. off-state voltage | 33 V |
| Breakdown voltage | 36.7...42.2 V |
| Max. forward impulse current | 11.3 A |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Корпус | SMB |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Leakage current | 5 µA |
| Features of semiconductor devices | glass passivated |
| Kind of package | reel, tape |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷42.2V; 11.3A; unidirectional; SMB
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.