Антава

MICROCHIP

Диод SMBJ30CE3/TR13

SMBJ30CE3/TR13
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6 kW
Max. off-state voltage
30 V
Breakdown voltage
33.3 V
Max. forward impulse current
11.2 A
Semiconductor structure
bidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSMBJ30CE3/TR13
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6 kW
Max. off-state voltage30 V
Breakdown voltage33.3 V
Max. forward impulse current11.2 A
Semiconductor structurebidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Kind of packagereel, tape
Рабочая температура-65...150 °C
Manufacturer standard package3000pcs.
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 0.6kW; 33.3V; 11.2A; bidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.