Антава

VISHAY

Диод SMBJ30AHE3_B/I

SMBJ30AHE3_B/I
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6 kW
Max. off-state voltage
30 V
Breakdown voltage
33.3 V
Max. forward impulse current
12.4 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSMBJ30AHE3_B/I
ПроизводительVISHAY
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6 kW
Max. off-state voltage30 V
Breakdown voltage33.3 V
Max. forward impulse current12.4 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current1 µA
Features of semiconductor devicesglass passivated
ТехнологияTransZorb®
Applicationautomotive industry
Kind of package13 inch reel, tape
СерияSMBJ
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 600W; 33.3V; 12.4A; unidirectional; DO214AA,SMB; SMBJ

Документация

Документы пока не предоставлены.