Антава

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Диод SMBJ120A

SMBJ120A
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6 kW
Max. off-state voltage
120 V
Breakdown voltage
133...147 V
Max. forward impulse current
3.2 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSMBJ120A
ПроизводительTAIWAN SEMICONDUCTOR
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6 kW
Max. off-state voltage120 V
Breakdown voltage133...147 V
Max. forward impulse current3.2 A
Semiconductor structureunidirectional
Tolerance±5%
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current1 µA
Kind of packagereel, tape
СерияSMBJ
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 0.6kW; 133÷147V; 3.2A; unidirectional; ±5%; DO214AA,SMB

Документация

Документ производителя