Антава

MICROCHIP

Диод SMBJ110CAE3/TR13

SMBJ110CAE3/TR13
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6 kW
Max. off-state voltage
110 V
Breakdown voltage
122 V
Max. forward impulse current
3.4 A
Semiconductor structure
bidirectional

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяSMBJ110CAE3/TR13
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6 kW
Max. off-state voltage110 V
Breakdown voltage122 V
Max. forward impulse current3.4 A
Semiconductor structurebidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Количество каналов1
Kind of packagereel, tape
Рабочая температура-65...150 °C
Manufacturer standard package3000pcs.
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 0.6kW; 122V; 3.4A; bidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.