Антава

VISHAY

Диод SMBJ10D-M3/I

SMBJ10D-M3/I
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6 kW
Max. off-state voltage
10 V
Breakdown voltage
11.3 V
Max. forward impulse current
35.9 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSMBJ10D-M3/I
ПроизводительVISHAY
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6 kW
Max. off-state voltage10 V
Breakdown voltage11.3 V
Max. forward impulse current35.9 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current2 µA
Features of semiconductor devicesglass passivated
ТехнологияTransZorb®
Kind of package13 inch reel, tape
СерияSMBJ
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 600W; 11.3V; 35.9A; unidirectional; DO214AA,SMB; SMBJ

Документация

Документы пока не предоставлены.