Антава

MICROCHIP

Диод SMBJ10CAE3/TR13

SMBJ10CAE3/TR13
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6kW
Max. off-state voltage
10V
Breakdown voltage
11.1V
Max. forward impulse current
35.3A
Semiconductor structure
bidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSMBJ10CAE3/TR13
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6kW
Max. off-state voltage10V
Breakdown voltage11.1V
Max. forward impulse current35.3A
Semiconductor structurebidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Kind of packagereel, tape
Рабочая температура-65...150°C
Manufacturer standard package3000pcs.
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 0.6kW; 11.1V; 35.3A; bidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.