Антава

VISHAY

Диод SMBJ10A-E3/5B

SMBJ10A-E3/5B
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6 kW
Max. off-state voltage
10 V
Breakdown voltage
11.1...12.3 V
Max. forward impulse current
35.3 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSMBJ10A-E3/5B
ПроизводительVISHAY
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6 kW
Max. off-state voltage10 V
Breakdown voltage11.1...12.3 V
Max. forward impulse current35.3 A
Semiconductor structureunidirectional
Допуск±5%
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current1 µA
Features of semiconductor devicesglass passivated
ТехнологияTransZorb®
Kind of package13 inch reel, tape
СерияSMBJ
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 600W; 11.1÷12.3V; 35.3A; unidirectional; ±5%; SMBJ

Документация

Документы пока не предоставлены.