LITTELFUSE
Диод SMBJ10A
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 0.6 kW
- Max. off-state voltage
- 10 V
- Breakdown voltage
- 11.1...12.3 V
- Max. forward impulse current
- 35.3 A
- Semiconductor structure
- unidirectional
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 628 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%40,30 ₽
Сумма · с НДС 22%40,30 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 40,30 ₽ | |
| от 5 | 32,98 ₽ | |
| от 10 | 29,68 ₽ | |
| от 50 | 24,00 ₽ | |
| от 100 | 22,17 ₽ | |
| от 500 | 18,69 ₽ | |
| от 1000 | 17,04 ₽ | |
| от 1500 | 16,12 ₽ | |
| от 3000 | 14,47 ₽ | |
| от 9000 | 13,74 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | SMBJ10A |
|---|---|
| Производитель | LITTELFUSE |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 0.6 kW |
| Max. off-state voltage | 10 V |
| Breakdown voltage | 11.1...12.3 V |
| Max. forward impulse current | 35.3 A |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Допуск | ±5% |
| Корпус | DO214AA |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Leakage current | 5 µA |
| Features of semiconductor devices | glass passivated |
| Kind of package | reel, tape |
| Серия | SMBJ |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 600W; 11.1÷12.3V; 35.3A; unidirectional; ±5%; DO214AA
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.