Антава

VISHAY

Диод SMB8J30CAHE3_B/H

SMB8J30CAHE3_B/H
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
800W
Max. off-state voltage
30V
Breakdown voltage
33.3V
Max. forward impulse current
16.5A
Semiconductor structure
bidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSMB8J30CAHE3_B/H
ПроизводительVISHAY
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation800W
Max. off-state voltage30V
Breakdown voltage33.3V
Max. forward impulse current16.5A
Semiconductor structurebidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current1µA
Features of semiconductor devicesglass passivated
Applicationautomotive industry
TechnologyTransZorb®
Kind of package7 inch reel, tape
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 800W; 33.3V; 16.5A; bidirectional; DO214AA,SMB

Документация

Документы пока не предоставлены.