VISHAY
Диод SMB10J40AHE3_B/I
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 1 kW
- Max. off-state voltage
- 40 V
- Breakdown voltage
- 44.4 V
- Max. forward impulse current
- 15.5 A
- Semiconductor structure
- unidirectional
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | SMB10J40AHE3_B/I |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 1 kW |
| Max. off-state voltage | 40 V |
| Breakdown voltage | 44.4 V |
| Max. forward impulse current | 15.5 A |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Корпус | DO214AA, SMB |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Leakage current | 1 µA |
| Features of semiconductor devices | glass passivated |
| Технология | TransZorb® |
| Application | automotive industry |
| Kind of package | 13 inch reel, tape |
| Серия | SMB10J |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 1kW; 44.4V; 15.5A; unidirectional; DO214AA,SMB; SMB10J
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.