TAIWAN SEMICONDUCTOR
Диод SMA4F30AH
SMA flatИзображение корпуса
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 0.4 kW
- Max. off-state voltage
- 30 V
- Breakdown voltage
- 33.5...37.1 V
- Max. forward impulse current
- 8.2 A
- Semiconductor structure
- unidirectional
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | SMA4F30AH |
|---|---|
| Производитель | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 0.4 kW |
| Max. off-state voltage | 30 V |
| Breakdown voltage | 33.5...37.1 V |
| Max. forward impulse current | 8.2 A |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Допуск | ±5% |
| Корпус | SMA flat |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Leakage current | 1 µA |
| Kind of package | reel, tape |
| Серия | SMA4 F |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 400W; 33.5÷37.1V; 8.2A; unidirectional; ±5%; SMA flat
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.