SEMIKRON DANFOSS
Транзистор SKM200GAL125D 22890740
- Type of semiconductor module
- IGBT
- Semiconductor structure
- diode/transistor
- Topology
- boost chopper
- Max. off-state voltage
- 1.2 kV
- Collector current
- 20 A
- Корпус
- SEMITRANS3
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 47 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%35 597,21 ₽
Сумма · с НДС 22%35 597,21 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 35 597,21 ₽ | |
| от 3 | 32 321,40 ₽ | |
| от 8 | 29 919,13 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | SKM200GAL125D 22890740 |
|---|---|
| Производитель | SEMIKRON DANFOSS |
| Type of semiconductor module | IGBT |
| Semiconductor structure | diode/transistor |
| Topology | boost chopper |
| Max. off-state voltage | 1.2 kV |
| Collector current | 20 A |
| Корпус | SEMITRANS3 |
| Version | D56 |
| Application | for UPS, Inverter, photovoltaics |
| Electrical mounting | FASTON connectors, screw |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 40 A |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; D56
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.