SEMIKRON DANFOSS
Транзистор SKM100GB125DN
- Type of semiconductor module
- IGBT
- Semiconductor structure
- transistor/transistor
- Topology
- IGBT half-bridge
- Max. off-state voltage
- 1.2 kV
- Collector current
- 80 A
- Корпус
- SEMITRANS2N
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 34 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%33 321,25 ₽
Сумма · с НДС 22%33 321,25 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 33 321,25 ₽ | |
| от 8 | 30 819,92 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | SKM100GB125DN |
|---|---|
| Производитель | SEMIKRON DANFOSS |
| Type of semiconductor module | IGBT |
| Semiconductor structure | transistor/transistor |
| Topology | IGBT half-bridge |
| Max. off-state voltage | 1.2 kV |
| Collector current | 80 A |
| Корпус | SEMITRANS2N |
| Version | D93 |
| Application | for UPS, Inverter, photovoltaics |
| Electrical mounting | FASTON connectors, screw |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 150 A |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 80A
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.