SEMIKRON DANFOSS
Транзистор SKIIP 12HEB066V1 25230840
- Type of semiconductor module
- IGBT
- Semiconductor structure
- diode/thyristor/IGBT
- Topology
- boost chopper, IGBT three-phase bridge, single-phase diode-thyristor bridge
- Max. off-state voltage
- 0.6 kV
- Collector current
- 15 A
- Корпус
- MiniSKiiP® 1
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 116 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%8 865,75 ₽
Сумма · с НДС 22%8 865,75 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 8 865,75 ₽ | |
| от 3 | 7 830,44 ₽ | |
| от 8 | 7 035,73 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | SKIIP 12HEB066V1 25230840 |
|---|---|
| Производитель | SEMIKRON DANFOSS |
| Type of semiconductor module | IGBT |
| Semiconductor structure | diode/thyristor/IGBT |
| Topology | boost chopper, IGBT three-phase bridge, single-phase diode-thyristor bridge |
| Max. off-state voltage | 0.6 kV |
| Collector current | 15 A |
| Корпус | MiniSKiiP® 1 |
| Application | for UPS, Inverter, photovoltaics |
| Electrical mounting | Press-Fit |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 40 A |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module: IGBT; diode/thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 600V
Документация
Документ производителяДокумент производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.