Антава

SEMIKRON DANFOSS

Транзистор SKIIP 11NAB12T4V1 25231580

SKIIP 11NAB12T4V1 25231580
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
diode/transistor
Topology
boost chopper, IGBT half-bridge x3, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
8 A
Мощность
4 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSKIIP 11NAB12T4V1 25231580
ПроизводительSEMIKRON DANFOSS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyboost chopper, IGBT half-bridge x3, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current8 A
Мощность4 kW
КорпусMiniSKiiP® 1
Applicationfor UPS, Inverter, photovoltaics
Electrical mountingPress-Fit
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current24 A
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 8A

Документация

Документ производителяДокумент производителя