Антава

VISHAY

Транзистор SIZF928DT-T1-GE3

Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Pulsed drain current
150...400 A
Корпус
PowerPAIR® 6x5
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIZF928DT-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Pulsed drain current150...400 A
КорпусPowerPAIR® 6x5
Gate-source voltage-12...16 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Semiconductor structureasymmetric
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 150÷400A

Документация

Документы пока не предоставлены.