VISHAY

Транзистор SIZF916DT-T1-GE3

PowerPAIR® 3x3Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 40/60 A
Pulsed drain current: 130...110 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIZF916DT-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET x2 + Schottky
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	40/60 A
Pulsed drain current	130...110 A
Рассеиваемая мощность	26.6/60 W
Корпус	PowerPAIR® 3x3
On-state resistance	6.8/1.75 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	22/95nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V

Документация

Документы пока не предоставлены.