Антава

VISHAY

Транзистор SIZF906BDT-T1-GE3

Type of transistor
N-MOSFET x2 + Schottky
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Корпус
PowerPAIR® 6x5
Монтаж
SMD — поверхностный
Kind of package
reel, tape
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIZF906BDT-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2 + Schottky
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
КорпусPowerPAIR® 6x5
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; unipolar; 30V

Документация

Документы пока не предоставлены.