Антава

VISHAY

Транзистор SIZF5300DT-T1-GE3

Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Drain-source voltage
30 V
Рассеиваемая мощность
56.8 W
Gate-source voltage
-12...16 V
On-state resistance
2.43 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 4 000 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%263,67 ₽

Сумма · с НДС 22%791 010,00 ₽

От 3000 шт. · шаг 3000

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 3000263,67 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIZF5300DT-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Drain-source voltage30 V
Рассеиваемая мощность56.8 W
Gate-source voltage-12...16 V
On-state resistance2.43 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9.5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; 30V; 56.8W

Документация

Документ производителя